6月11日，东芝电子器件与存储公司(Toshiba)和日本半导体公司(Japan Semiconductor)联合展示了一种改进方法，可以提高高压MOS(横向双扩散MOS (LDMOS))的可靠性和性能。其中，LDMOS是电机控制驱动器等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心元件。随着车辆电气化的不断发展，包括高级驾驶辅助系统(ADAS)的更广泛部署，东芝和日本半导体将能够根据所需的电压提供改进的LDMOS单元设计。
(来源:东芝)
众所周知，在设计LDMOS时，往往需要在可靠性和性能之间做出选择。横向寄生双极效应通常会降低人体模型(HBM)的耐受性。然而，通过增加背栅比来抑制横向寄生双极效应，HBM测量的静电放电(ESD)容限将得到改善。但是，增加背栅比也会增加导通电阻，从而降低性能。到目前为止，LDMOS设计者仍然必须在HBM容差和更高的导通电阻之间取得平衡。
东芝和日本半导体评估了LDMOS中的HBM容差，发现即使背栅比增加，容差在80V以上也没有增加。他们发现，这是因为在2D TCAD模拟中，垂直寄生双极效应和横向寄生双极效应一起出现，这使得设计者在设置HBM和背栅比的参数方面有更大的自由度。
东芝开发了一种技术，可以优化除背栅比(背栅的总宽度与源极和背栅的总宽度之比)之外的单元设计参数。结合这一技术和这一发现，东芝和日本半导体提出了提高HBM容差，抑制80V及以上LDMOS导通电阻的方法，使LDMOS可以具有HBM容差，并且与背栅比无关。这种方法可以应用于其他汽车系统，如发动机和转向系统，并将有助于提高可靠性和功率效率。
东芝拥有广泛的适用于各种应用和电压的LDMOS产品，并正在开发可以集成嵌入式非易失性存储器(eNVM)和高压模拟IC的第五代工艺技术。东芝和日本半导体致力于半导体工艺研发，为低功耗和高可靠性做出贡献。6月11日，东芝电子器件与存储公司(Toshiba)和日本半导体公司(Japan Semiconductor)联合展示了一种改进方法，可以提高高压MOS(横向双扩散MOS (LDMOS))的可靠性和性能。其中，LDMOS是电机控制驱动器等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心元件。随着车辆电气化的不断发展，包括高级驾驶辅助系统(ADAS)的更广泛部署，东芝和日本半导体将能够根据所需的电压提供改进的LDMOS单元设计。
(来源:东芝)
众所周知，在设计LDMOS时，往往需要在可靠性和性能之间做出选择。横向寄生双极效应通常会降低人体模型(HBM)的耐受性。然而，通过增加背栅比来抑制横向寄生双极效应，HBM测量的静电放电(ESD)的容限将得到改善。但是，增加背栅比也会增加导通电阻，从而降低性能。到目前为止，LDMOS设计者仍然必须在HBM容差和更高的导通电阻之间取得平衡。
东芝和日本半导体评估了LDMOS中的HBM容差，发现即使背栅比增加，容差在80V以上也没有增加。他们发现，这是因为在2D TCAD模拟中，垂直寄生双极效应和横向寄生双极效应一起出现，这使得设计者在设置HBM和背栅比的参数方面有更大的自由度。
东芝开发了一种技术，可以优化除背栅比(背栅的总宽度与源极和背栅的总宽度之比)之外的单元设计参数。将这一技术与这一发现相结合，东芝和日本半导体公司提出了一种提高HBM耐受性和抑制LDMOS导通电阻的方法……ith 80V及更高，使得LDMOS可以具有HBM容差，并且与背栅比无关。这种方法可以应用于其他汽车系统，如发动机和转向系统，并将有助于提高可靠性和功率效率。
东芝拥有广泛的适用于各种应用和电压的LDMOS产品，并正在开发可以集成嵌入式非易失性存储器(eNVM)和高压模拟IC的第五代工艺技术。东芝和日本半导体致力于半导体工艺研发，为低功耗和高可靠性做出贡献。
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