据外媒报道,日本国立材料研究所国际材料与纳米结构部的独立科学家Liwen Sang开发了一种MEMS谐振器,通过调节氮化镓热引起的应力,即使在高温下也能稳定工作。
用于高速和高容量第五代移动通信系统的硅衬底上的GaN外延膜的制备需要高度精确的同步技术。因此,需要使用高性能频率参考振荡器作为定时设备来生成固定周期信号,以平衡时间稳定性和时间分辨率。传统的石英谐振器用作振荡器时,其集成能力较差,应用受到限制。尽管MEMS谐振器可以实现高时间分辨率、低相位噪声和优异的集成能力,但这种基于硅的MEMS系统在高温下的稳定性较差。在这项研究中,研究人员使用有机金属化学气相沉积技术在硅衬底上制备了高质量的GaN外延膜,以构建GaN谐振器。研究人员建议使用应力设计来提高时间性能,其中应力主要来自GaN和硅衬底上的晶格失配和热失配。因此,GaN可以直接在硅衬底上生长,而不需要任何应力层去除。通过优化MOCVD生长过程中的冷却方法,研究人员在GaN上没有发现裂纹,并发现其晶体质量与用超晶格去除应力层的传统方法制成的GaN相当。这种基于GaN的MEMS谐振器已被证明在600的色温下稳定工作,并且当温度升高时仍然具有高的时间分辨率和良好的时间稳定性,具有小的频移。这是因为内部热应力补偿了频率偏移并减少了能量耗散。由于其体积小、灵敏度高、能够与CMOS技术集成,该设备有望应用于5G通信、物联网定时设备、车载应用和高级驾驶辅助系统等领域。
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