近日，第三届硬核中国芯片领袖峰会暨汽车芯片技术创新与应用论坛在线上举行。比亚迪半导体功率半导体产品中心高级市场经理孙云帅出席线上云峰会，并发表题为《汽车IGBT技术的最新发展》的演讲。孙云帅表示，2018年，比亚迪半导体发布了汽车行业标杆IGBT4.0技术。IGBT4.0芯片通过精细的平面栅极设计，在相同的运行条件下，与市场主流产品相比，综合损耗降低了约20%，并显著降低了车辆功耗。他透露，比亚迪半导体已经实现了基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技术的量产。IGBT 5.0采用微槽结构和复合场端接技术，实现超低导通和开关损耗。此外，由于采用了极为调谐的复合磁场终端技术，它实现了软停堆。
与此同时，比亚迪半导体IGBT5.0芯片正在积极布局新一代IGBT技术，致力于进一步提高IGBT芯片的电流密度，增强功率半导体的可靠性，降低产品成本，提高应用系统的整体功率密度。未来，比亚迪半导体IGBT芯片将继续在核心技术、制造工艺和结构设计等方面寻求创新突破。关于下一代功率器件的核心SiC，他表示，比亚迪半导体SiC汽车功率模块采用针翅式直接水冷结构，非常紧凑，只有一个手掌大小，输出功率为250KW。其优异的性能为新能源汽车电机驱动带来了显著的效率提升，并使电机驱动控制器的体积减少了60%以上。
比亚迪半导体SiC功率模块“后期，比亚迪半导体将向超小型双面烧结SiC发展，这种SiC具有应用灵活和散热效率高的优势。目前，相关产品正在研究中，有望在产品创新方面实现又一次飞跃，”孙云帅表示。
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