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英飞凌采用CoolSiCMOSFET技术 推出新型汽车电源模块

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时间:1900/1/1 0:00:00

5月3日,英飞凌科技宣布推出新的汽车电源模块hybrid pack Drive cool sic。全桥模块采用CoolSiC MOSFET技术,阻断电压1200V,适用于电动汽车(EV)牵引逆变器。基于汽车CoolSiC trench MOSFET技术,该功率模块适用于高功率密度和高性能应用,从而为具有长电池寿命和低电池成本的车辆逆变器提供更高的效率,尤其适用于配备800 V电池系统和更大电池容量的车辆。

modern

(来源:英飞凌)

现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung博士表示:“全球模块化电动平台(E-GMP)的800 V系统为下一代电动汽车奠定了技术基础,缩短了充电时间。通过使用基于英飞凌CoolSiC功率模块的牵引逆变器,我们可以将车辆的行驶里程提高5%以上,因为这种SiC解决方案与基于硅的解决方案相比,损耗更低,效率更高。”

英飞凌创新和新兴技术负责人Mark Münzer表示:“电动汽车市场一直高度活跃,为创造力和创新奠定了基础。随着SiC器件价格的大幅下降,SiC解决方案的商业化将会加速,从而使SiC技术被广泛用于提高电动汽车的续航里程,使用SiC技术的平台更具性价比。”

功率模块可以提供从硅到碳化硅的相同路径的简单升级方式,使得逆变器设计可以在1200 V级中实现高达250 kW的高功率、更长的续航里程、更小的电池尺寸以及优化的系统尺寸和成本。为了在不同的功率水平下提供最佳的性能价格比,该产品提供了两种不同芯片编号的版本,即1200 V 400 A或200 A DC额定版本。

酷派汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器进行了优化,旨在实现最低传导损耗,尤其是在部分负载条件下。与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET的低开关损耗可以提高逆变器的工作效率。

除了优化性能,英飞凌还非常重视可靠性。汽车cool sic MOSFET的设计和测试可以实现短路鲁棒性以及对宇宙射线和栅极氧化物的高水平鲁棒性,这对于高效设计、可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用非常重要。HybridPACK driver CoolSiC电源模块符合汽车电源模块AQG324的规格。5月3日,英飞凌科技宣布推出新的汽车电源模块hybrid pack Drive cool sic。全桥模块采用CoolSiC MOSFET技术,阻断电压1200V,适用于电动汽车(EV)牵引逆变器。基于汽车CoolSiC trench MOSFET技术,该功率模块适用于高功率密度和高性能应用,从而为具有长电池寿命和低电池成本的车辆逆变器提供更高的效率,尤其适用于配备800 V电池系统和更大电池容量的车辆。

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(来源:英飞凌)

现代汽车集团电气化开发团队负责人Jin-Hwan Jung博士表示:“全球模块化电动平台(E-GMP)的800 V系统为下一代电动汽车奠定了技术基础,缩短了充电时间。通过使用基于英飞凌CoolSiC功率模块的牵引逆变器,我们可以将车辆的行驶里程提高5%以上,因为这种SiC解决方案与基于硅的解决方案相比,损耗更低,效率更高。”

英飞凌创新和新兴技术负责人Mark Münzer表示:“电动汽车市场一直高度活跃,为创造力和创新奠定了基础。随着SiC器件价格的大幅下降,SiC解决方案的商业化将会加速,从而使SiC技术被广泛用于提高电动汽车的续航里程,使用SiC技术的平台更具性价比。”

功率模块可以提供从硅到碳化硅的相同路径的简单升级方式,使得逆变器设计可以在1200 V级中实现高达250 kW的高功率、更长的续航里程、更小的电池尺寸以及优化的系统尺寸和成本。为了向…提供最佳性能冰比在不同的功率水平,该产品提供了两个不同芯片编号的版本,即1200 V 400 A或200 A DC额定版本。

酷派汽车MOSFET技术

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术针对牵引逆变器进行了优化,旨在实现最低传导损耗,尤其是在部分负载条件下。与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET的低开关损耗可以提高逆变器的工作效率。

除了优化性能,英飞凌还非常重视可靠性。汽车cool sic MOSFET的设计和测试可以实现短路鲁棒性以及对宇宙射线和栅极氧化物的高水平鲁棒性,这对于高效设计、可靠的汽车牵引逆变器和其他高压应用非常重要。HybridPACK driver CoolSiC电源模块符合汽车电源模块AQG324的规格。

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