安森美半导体发布用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案

6月8日，致力于推动节能创新的安森美半导体(NASDAQ: ON)发布了一对1200 V完整碳化硅(SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强了其面向充满挑战的电动汽车(EV)市场的产品线。

随着电动汽车销量的不断增加，有必要引入基础设施来满足驾驶员的需求，从而提供快速充电站网络，使他们能够快速完成旅程，而没有“续航里程焦虑”。该领域的要求发展迅速，要求超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。由于这些充电桩部署在不同的环境和位置，紧凑性、坚固性和增强的可靠性都是设计师面临的挑战。基于平面技术的新型1200 V M1完整SiC MOSFET 2组件模块适用于18 V至20 V范围内的驱动电压，并且易于在负栅极电压下驱动。与沟槽MOSFET相比，其更大的裸片降低了热阻，从而降低了相同工作温度下的裸片温度。NXH010P120MNF配置为2封装半桥架构，为F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2为F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接引脚，非常适合工业应用，内置负温度系数(NTC)热敏电阻有助于温度监控。新的SiC MOSFET模块是半导体电动汽车充电生态系统的一部分，旨在与NCD5700x器件等驱动器方案配合使用。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV电气隔离，可以配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。高电流器件(米勒平台电压下的源电流4.0 A/吸电流6.0 A)适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。安森半导体的SiC MOSFET与新模块和栅极驱动器相辅相成，提供比同类硅器件更好的开关性能和增强的散热，使能效和功率密度更高，改善电磁干扰(EMI)，并减小系统的尺寸和重量。新发布的650 V SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计和先进的薄晶片技术，使(RDS(on)*面积)的品质因数(FoM)达到同类最佳。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1、NTH4L015N065SC等该系列器件是目前市场上采用D2PAK7L/TO247封装的RDS(on)最低的MOSFET。1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET的芯片尺寸较小，降低了器件电容和栅极电荷(Qg-低至220 nC)，从而降低了电动汽车充电桩高频运行所需的开关损耗。在APEC 2021期间，安森半导体将展示工业应用的SiC方案，并在参展商研讨会上介绍电动汽车的非车载充电方案。6月8日，致力于推动节能创新的安森美半导体(NASDAQ: ON)发布了一对1200 V完整碳化硅(SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强了其面向充满挑战的电动汽车(EV)市场的产品线。

随着电动汽车销量的不断增加，有必要引入基础设施来满足驾驶员的需求，从而提供快速充电站网络，使他们能够快速完成旅程，而没有“续航里程焦虑”。该领域的要求发展迅速，要求超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。由于这些充电桩部署在不同的环境和位置，紧凑性、坚固性和增强的可靠性都是设计师面临的挑战。基于平面技术的新型1200 V M1完整SiC MOSFET 2组件模块适用于18 V至20 V范围内的驱动电压，并且易于在负栅极电压下驱动。与沟槽MOSFET相比，其更大的裸片降低了热阻，从而降低了相同工作温度下的裸片温度。NXH010P120MNF配置为2封装半桥架构，为F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2为F2封装的6 mohm器件。这些封装使用非常适合工业应用的压接引脚和嵌入式……负温度系数(NTC)热敏电阻有助于温度监控。新的SiC MOSFET模块是半导体电动汽车充电生态系统的一部分，旨在与NCD5700x器件等驱动器方案配合使用。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV电气隔离，可以配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。高电流器件(米勒平台电压下的源电流4.0 A/吸电流6.0 A)适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。安森半导体的SiC MOSFET与新模块和栅极驱动器相辅相成，提供比同类硅器件更好的开关性能和增强的散热，使能效和功率密度更高，改善电磁干扰(EMI)，并减小系统的尺寸和重量。新发布的650 V SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计和先进的薄晶片技术，使(RDS(on)*面积)的品质因数(FoM)达到同类最佳。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1、NTH4L015N065SC等该系列器件是目前市场上采用D2PAK7L/TO247封装的RDS(on)最低的MOSFET。1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET的芯片尺寸较小，降低了器件电容和栅极电荷(Qg-低至220 nC)，从而降低了电动汽车充电桩高频运行所需的开关损耗。在APEC 2021期间，安森半导体将展示工业应用的SiC方案，并在参展商研讨会上介绍电动汽车的非车载充电方案。

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