据国外媒体报道，富士通半导体存储解决方案宣布开始量产4Mbit FRAM(铁电随机存取存储器)MB85RS4MTY，可在125℃的高温下运行
(来源:富士通)
FRAM产品符合AEC-Q1001汽车标准，非常适合工业机器人和汽车应用，例如需要高可靠性电子元件的高级驾驶辅助系统(ADAS)。
(来源:富士通)
FRAM是一种非易失性存储产品，读写耐久性高，写入速度快，功耗低，已量产20多年。这款具有SPI接口的FRAM工作在1.8V至3.6V的宽电源电压下，在-40°C至+125°C的温度范围内，FRAM可以保证10万亿次读写循环和低工作电流，例如最大写入电流为4mA(工作频率为50MHz)。此外，该产品采用8引脚DFN封装(双扁平封装，无led)。
这款FRAM产品可以解决在高可靠性应用中使用EEPROM(电可擦只读存储器)或SRAM(静态随机存取存储器)带来的一系列问题。例如，使用EEPROM时，由于写入耐久性规范的限制，用户很难频繁记录数据，但使用FRAM可以保证10万亿次读写循环，同时可以保护写入的数据，避免在突发事故或断电时数据丢失；当使用SRAM时，将很难取出电池保留的数据，但使用FRAM非易失性存储器可以有效地保留数据。
(来源:富士通)
总之，FRAM不仅可以帮助客户减轻开发负担，提高产品性能，还可以降低成本。据国外媒体报道，富士通半导体存储解决方案宣布开始量产4Mbit FRAM(铁电随机存取存储器)MB85RS4MTY，可在125℃的高温下运行
(来源:富士通)
FRAM产品符合AEC-Q1001汽车标准，非常适合工业机器人和汽车应用，例如需要高可靠性电子元件的高级驾驶辅助系统(ADAS)。
(来源:富士通)
FRAM是一种非易失性存储产品，读写耐久性高，写入速度快，功耗低，已量产20多年。这款具有SPI接口的FRAM工作在1.8V至3.6V的宽电源电压下，在-40°C至+125°C的温度范围内，FRAM可以保证10万亿次读写循环和低工作电流，例如最大写入电流为4mA(工作频率为50MHz)。此外，该产品采用8引脚DFN封装(双扁平封装，无led)。
这款FRAM产品可以解决在高可靠性应用中使用EEPROM(电可擦只读存储器)或SRAM(静态随机存取存储器)带来的一系列问题。例如，使用EEPROM时，由于写入耐久性规范的限制，用户很难频繁记录数据，但使用FRAM可以保证10万亿次读写循环，同时可以保护写入的数据，避免在突发事故或断电时数据丢失；当使用SRAM时，将很难取出电池保留的数据，但使用FRAM非易失性存储器可以有效地保留数据。
(来源:富士通)
总之，FRAM不仅可以帮助客户减轻开发负担，提高产品性能，还可以降低成本。
标签：RAM
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