据外媒报道，碳化硅的功率半导体制造商UnitedSiC推出了9款750V SiC器件，其中导通电阻可低至6mω。这些装置为电动车辆的传动系统提供了优势。
(来源:unitedsic)
新型750V SiC FET系列的额定值为6、9、11、23、33和44 mω，采用TO-247-4L封装。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更传统的TO-247 3L封装。
据该公司称，该系列于去年12月推出了18和60mω750v器件。新扩展的产品补充了这些现有器件，为设计人员提供了更多选择，实现了更大的设计灵活性，以获得最佳的成本/效率平衡，同时保持足够的设计裕量和电路稳定性。
UnitedSiC的第四代SiC FET是SiC JFET和硅MOSFET封装在一起的“共源共栅”。一般来说，它可以提供宽带隙技术的所有优势:高速、低损耗和高温工作，同时保持简单、稳定和强大的栅极驱动和集成的ESD保护。
这些优势通过品质因子(FoMs)来量化，比如导通电阻RDS(on) x A，这是一个衡量单位晶粒面积传导损耗的指标。第四代SiC FET在高和低晶粒温度下都达到了市场上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬开关应用中非常重要，估计是最接近的竞争产品的一半。FoM RDS(on) x COSS(tr)在软开关应用中非常重要。UnitedSiC声称其器件成本比额定电压为650V的竞争对手低30%左右，而UnitedSiC器件的额定电压为750V V。
对于硬开关应用，SiC FET的集成二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SICFOSFET技术。第四代技术的其他优点是，先进的晶片减薄技术和银烧结芯片连接用于降低芯片和外壳之间的热阻。这些特性可以在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，以实现低颗粒温升。
这些器件设计用于电动汽车的牵引驱动、车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和交流-DC(或DC-DC)功率转换所有阶段的单向和双向功率转换。
第四代750V SiC器件价格不一，如UJ4C075044K3S为4.15美元，UJ4SC075006K4S为23.46美元。据外媒报道，碳化硅的功率半导体制造商UnitedSiC推出了9款750V SiC器件，其中导通电阻可低至6mω。这些装置为电动车辆的传动系统提供了优势。
(来源:unitedsic)
新型750V SiC FET系列的额定值为6、9、11、23、33和44 mω，采用TO-247-4L封装。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更传统的TO-247 3L封装。
据该公司称，该系列于去年12月推出了18和60mω750v器件。新扩展的产品补充了这些现有器件，为设计人员提供了更多选择，实现了更大的设计灵活性，以获得最佳的成本/效率平衡，同时保持足够的设计裕量和电路稳定性。
UnitedSiC的第四代SiC FET是SiC JFET和硅MOSFET封装在一起的“共源共栅”。一般来说，它可以提供宽带隙技术的所有优势:高速、低损耗和高温工作，同时保持简单、稳定和强大的栅极驱动和集成的ESD保护。
这些优势通过品质因子(FoMs)来量化，比如导通电阻RDS(on) x A，这是一个衡量单位晶粒面积传导损耗的指标。第四代SiC FET在高和低晶粒温度下都达到了市场上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬开关应用中非常重要，估计是最接近的竞争产品的一半。FoM RDS(on) x COSS(tr)在软开关应用中非常重要。UnitedSiC声称其器件成本比额定电压为650V的竞争对手低30%左右，而UnitedSiC器件的额定电压为750V V。
对于硬开关应用，SiC FET的集成二极管在以下方面优于竞争对手的Si MOSFET或SICFOSFET技术……非常速度和正向电压降。第四代技术的其他优点是，先进的晶片减薄技术和银烧结芯片连接用于降低芯片和外壳之间的热阻。这些特性可以在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，以实现低颗粒温升。
这些器件设计用于电动汽车的牵引驱动、车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和交流-DC(或DC-DC)功率转换所有阶段的单向和双向功率转换。
第四代750V SiC器件价格不一，如UJ4C075044K3S为4.15美元，UJ4SC075006K4S为23.46美元。
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