1月10日，新加坡科技研究院(A*STAR)微电子研究所(IME)与法国半导体材料公司Soitec宣布，将进行研究合作，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进的高压电子设备提供电源。双方将使用Soitec的专有技术，如Smart Cut和IME的实验生产线，制造直径为200毫米的SiC半导体衬底
(来源:Soitec)
这项联合研究将有助于开发集成的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。研究合作计划于2024年年中完成，旨在:
为Smart Cut SiC衬底开发SiC外延和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)制造工艺，以生产更高质量的微芯片晶体管，并降低制造过程中的不合格率和提高产量；
建立在Smart Cut SiC衬底上制造SiC功率MOSFET器件的基准，并展示该工艺相对于传统块状衬底的优势。
Soitec首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示:“在此次合作中，我们将有机会展示SmartSiC衬底可扩展至200毫米的性能，并为开发先进的外延解决方案铺平道路，以生产具有节能特性的更高质量SiC晶片。新加坡的半导体生态系统将因此受益，从而验证适当生产的SiC晶片的卓越能效。”1月10日，新加坡科技研究院(A*STAR)微电子研究所(IME)与法国半导体材料公司Soitec宣布，将进行研究合作，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进的高压电子设备提供电源。双方将使用Soitec的专有技术，如Smart Cut和IME的实验生产线，制造直径为200毫米的SiC半导体衬底
(来源:Soitec)
这项联合研究将有助于开发集成的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。研究合作计划于2024年年中完成，旨在:
为Smart Cut SiC衬底开发SiC外延和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)制造工艺，以生产更高质量的微芯片晶体管，并降低制造过程中的不合格率和提高产量；
建立在Smart Cut SiC衬底上制造SiC功率MOSFET器件的基准，并展示该工艺相对于传统块状衬底的优势。
Soitec首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示:“在此次合作中，我们将有机会展示SmartSiC衬底可扩展至200毫米的性能，并为开发先进的外延解决方案铺平道路，以生产具有节能特性的更高质量SiC晶片。新加坡的半导体生态系统将因此受益，从而验证适当生产的SiC晶片的卓越能效。”
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