英飞凌推出1200 V SIC MOSFET 充分提高系统效率和可靠性

据国外媒体报道，英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)推出了一种新的CoolSiC技术，以提高给定芯片面积的导通电阻。作为领先的碳化硅(SiC)芯片，这款cool SiC MOSFET 1200V M1H适用于一系列产品组合，这些产品组合将采用流行的Easy系列模块和分立封装。XT互联技术。M1H芯片高度灵活，适用于需要满足高峰需求的太阳能系统，如逆变器。该芯片还适用于电动汽车的快速充电、储能系统和其他工业应用。

(来源:英飞凌)

基于CoolSiC技术的最新发展使栅极操作窗口显著变大，从而提高了给定芯片面积的导通电阻。同时，即使在较高的开关频率下，较大的栅极工作窗口也能提供较高的鲁棒性，以抵抗与栅极驱动器和布局相关的电压峰值。除了M1H芯片技术，相关外壳还可以用于技术和封装变体，以实现更高的功率密度，并为设计工程师提供更多选择，以提高应用性能。

M1H将集成到流行的Easy系列中，以进一步改进Easy 1B和2B模块。此外，我们还将推出一款新产品，利用新型1200 V CoolSiC MOSFET增强Easy 3B模块。推出的新尺寸芯片可以充分提高灵活性，以确保最广泛的工业产品组合。使用M1H芯片可以显著提高模块的导通电阻，使器件更加可靠高效。

此外，最高临时结温为175°C，过载能力增强，从而实现更高的功率密度和故障事件覆盖率。与其前身M1相比，M1H实现了更小的内部RG，从而轻松优化了开关行为。M1H芯片保持这种动态行为。

除了Easy模块系列和CoolSiC MOSFET 1200 V M1H产品组合，还通过TO247-3和TO247-4独立封装提供新型超低导通电阻7mω、14mω和20mω。这些新器件易于设计，特别是由于栅极电压的过冲和欠冲，新的最大栅极-源极电压降至-10 V，并且它们具有雪崩和短路能力。

之前在D 2PAK-7L封装中引入的XT互连技术，现在也可以在TO封装中实现。与标准互连相比，散热能力提高30%以上。受益于这种热效益，输出功率可以提高15%。此外，有助于提高开关频率，从而进一步减少电动汽车充电、储能或光伏系统等应用中的无源元件，提高功率密度，降低系统成本。在不改变系统运行条件的情况下。XT技术将降低SiC MOSFET的结温，从而显著提高系统寿命和功率循环能力。

1据国外媒体报道，英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)推出了一种新的CoolSiC技术，以提高给定芯片面积的导通电阻。作为领先的碳化硅(SiC)芯片，这款cool SiC MOSFET 1200V M1H适用于一系列产品组合，这些产品组合将采用流行的Easy系列模块和分立封装。XT互联技术。M1H芯片高度灵活，适用于需要满足高峰需求的太阳能系统，如逆变器。该芯片还适用于电动汽车的快速充电、储能系统和其他工业应用。

(来源:英飞凌)

基于CoolSiC技术的最新发展使栅极操作窗口显著变大，从而提高了给定芯片面积的导通电阻。同时，即使在较高的开关频率下，较大的栅极工作窗口也能提供较高的鲁棒性，以抵抗与栅极驱动器和布局相关的电压峰值。除了M1H芯片技术，相关外壳还可以用于技术和封装变体，以实现更高的功率密度，并为设计工程师提供更多选择，以提高应用性能。

M1H将集成到流行的Easy系列中，以进一步改进Easy 1B和2B模块。此外，我们还将推出一款新产品，利用新型1200 V CoolSiC MOSFET增强Easy 3B模块。推出的新尺寸芯片可以充分提高灵活性，以确保最广泛的工业产品组合。使用M1H chi……可以显著提高模块的导通电阻，使器件更加可靠和高效。

此外，最高临时结温为175°C，过载能力增强，从而实现更高的功率密度和故障事件覆盖率。与其前身M1相比，M1H实现了更小的内部RG，从而轻松优化了开关行为。M1H芯片保持这种动态行为。

除了Easy模块系列和CoolSiC MOSFET 1200 V M1H产品组合，还通过TO247-3和TO247-4独立封装提供新型超低导通电阻7mω、14mω和20mω。这些新器件易于设计，特别是由于栅极电压的过冲和欠冲，新的最大栅极-源极电压降至-10 V，并且它们具有雪崩和短路能力。

之前在D 2PAK-7L封装中引入的XT互连技术，现在也可以在TO封装中实现。与标准互连相比，散热能力提高30%以上。受益于这种热效益，输出功率可以提高15%。此外，有助于提高开关频率，从而进一步减少电动汽车充电、储能或光伏系统等应用中的无源元件，提高功率密度，降低系统成本。在不改变系统运行条件的情况下。XT技术将降低SiC MOSFET的结温，从而显著提高系统寿命和功率循环能力。

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