8月30日，半导体解决方案提供商瑞萨电子公司宣布开发出新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小，功耗低，可用于下一代电动汽车逆变器。
图片来源:瑞萨
根据该公司的计划，2023年上半年，AE5 IGBT将在日本瑞萨电子中田工厂的200毫米和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年，瑞萨电子将开始提高其位于日本甲府的新功率半导体300mm晶圆厂的产量，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。8月30日，半导体解决方案提供商瑞萨电子公司宣布开发出新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小，功耗低，可用于下一代电动汽车逆变器。
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根据该公司的计划，2023年上半年，AE5 IGBT将在日本瑞萨电子中田工厂的200毫米和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年，瑞萨电子将开始提高其位于日本甲府的新功率半导体300mm晶圆厂的产量，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。
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