8月30日,半导体解决方案提供商瑞萨电子公司宣布开发出新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小,功耗低,可用于下一代电动汽车逆变器。
图片来源:瑞萨
根据该公司的计划,2023年上半年,AE5 IGBT将在日本瑞萨电子中田工厂的200毫米和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年,瑞萨电子将开始提高其位于日本甲府的新功率半导体300mm晶圆厂的产量,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。8月30日,半导体解决方案提供商瑞萨电子公司宣布开发出新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小,功耗低,可用于下一代电动汽车逆变器。
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根据该公司的计划,2023年上半年,AE5 IGBT将在日本瑞萨电子中田工厂的200毫米和300毫米晶圆生产线上量产。2024年上半年,瑞萨电子将开始提高其位于日本甲府的新功率半导体300mm晶圆厂的产量,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。
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1900/1/1 0:00:002022成都车展上,魏牌摩卡DHTPHEV(参数丨图片)激光雷达版亮相。该车型搭载了量产城市NOH智能辅助驾驶系统,预计9月SOP量产,年内上市交付。
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1900/1/1 0:00:00