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Nexperia GaN FET使电动汽车更高效

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时间:1900/1/1 0:00:00

据外媒报道,法内尔将把Nexperia的第二代功率氮化镓场效应晶体管推向市场。这些类型的晶体管尺寸小、密度高、效率高,可以降低开发高效系统的成本,并有可能改变电动汽车的动力性能。

DS

随着立法越来越严格,减少二氧化碳排放的呼声越来越强烈。这些创新的GaN FET为设计者带来了便利,促进了向更有效的功率转换的转变,并提高了电气化水平。GaN技术克服了硅基IGBT和SiC等现有技术的许多局限性,直接或间接地提高了整个功率转换应用的性能。在电动汽车中,氮化镓技术可以直接降低功率损耗,避免影响汽车的续航里程。更高的功率转换效率还可以减少对散热系统的需求,有助于减轻车辆重量,降低系统复杂性,并实现更长的工作范围,或者在相同范围内使用更小的电池。功率GaN FET也适用于数据中心、电信基础设施和工业应用。GaN FET可以在不同的系统中提供优异的性能,例如硬开关AC-DC图腾柱PFC应用、全桥LLC相移软开关应用、所有DC-AC逆变器拓扑和使用双向开关的AC-AC矩阵转换器。主要优点包括:简单的栅极驱动、低导通电阻RDS和快速切换;具有低反向恢复电荷的高品质体二极管;高强度;低动态传导电阻;稳定开关;防门杆反弹。

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