4月6日，韩国纯晶圆代工公司七方半导体宣布，其首款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的汽车半导体已经研发完成，并将于今年开始大规模生产。5年多来，奇方半导体凭借其第一代0.13微米嵌入式闪存技术，不断推动MCU、触摸控制和自动对焦等各种消费应用产品的量产。新的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺可应用于汽车零部件，符合AEC-Q100 1级可靠性测试标准。基于其深厚的专业积累和专利侧壁选择性晶体管单元结构的强大特性，七方半导体在嵌入式闪存IP中添加了纠错码存储器，成功开发出符合所有AEC-Q100 1级可靠性测试标准的新型嵌入式闪存技术。此外，这种设计改进还增强了该技术的闪光灯可靠性，使其适用于所有汽车应用。
七方半导体的一位韩国客户率先将这一新工艺应用于交通收费应答器的MCU产品。七方半导体的128Kb eFlash IP已嵌入已完成产品级测试的产品中，并将于今年开始全面量产。这是首款采用奇方半导体嵌入式闪存技术的汽车应用产品。该公司希望该产品的成功开发将有助于扩大该技术的应用范围，未来可应用于触摸IC、无线充电IC和其他各种汽车产品。与第一代相比，第二代技术具有更高的可靠性和更强的成本竞争力，有望广泛应用于各种消费应用，包括MCU、触摸控制和自动对焦。此外，在与BCD工艺集成后，它非常适合各种电源产品，如USB Type-C PD、电机驱动IC或无线充电IC。第二代技术也有望应用于具有超低泄漏工艺选项的低功耗物联网产品。继第一代和第二代0.13微米嵌入式闪存工艺之后，七方半导体目前正在开发0.11微米嵌入式闪速存储器工艺。为了满足客户对高存储密度日益增长的需求，该公司计划大幅减少闪存单元的大小，并创建存储密度高达4Mbits的闪存IP。七方半导体首席执行官Tae Jong Lee博士表示，“我们很高兴使用第二代0.13微米嵌入式闪存技术完成了第一款产品的开发并开始批量生产。我们将充分利用我们积累的技术优势，提供高度可靠和具有成本效益的OEM服务，并继续提高汽车半导体在我们产品组合中的比例
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