据外媒报道，碳化硅功率半导体制造商United SiC已推出9款750V SiC器件，导电电阻低至6米Ω。这些装置为电动汽车的传动系统提供了优点。
新型750V SiC FET系列的额定电阻为6、9、11、23、33和44mΩ，封装在TO-247-4L中。18.23、33、44和60mΩ器件也使用更传统的TO-247-3L封装。该公司表示，该系列已于去年12月推出18和60万Ω750V设备。新扩展的产品与这些现有设备类似，为设计者提供了更多的选择，并实现了更大的设计灵活性，以获得最佳的成本/效率权衡，同时保持足够的设计余量和电路稳健性。UnitedSiC的第四代SiC FET是SiC JFET和共封装硅MOSFET的“共源共栅”。总体而言，它可以提供宽带间隙技术的所有优势：高速、低损耗和高温操作，同时保持简单、稳定和强大的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。这些优势是通过质量因素量化的，例如传导电阻RDS（on）x A，它测量每单位晶粒面积的传导损耗。第四代SiC FET在高晶粒温度和低晶粒温度下都达到了市场上的最低值。FoM RDS（on）x EOSS/QOSS在硬交换应用中很重要，估计是最接近的竞争对手之一。FoM RDS（on）x COSS（tr）在软交换应用中非常重要。UnitedSiC声称其设备成本比额定电压为650V的竞争设备低约30%，而UnitedSiC设备的额定电压为750V。对于硬开关应用，SiC-FET的集成二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si-MOSFET或SiC-MOSFET技术。第四代技术的其他优点是使用了先进的晶片减薄技术和烧银晶粒连接，降低了晶粒与外壳之间的热阻。这些特性可以在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，以实现低晶粒温升。这些设备设计用于牵引驱动器、电动汽车的车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和AC-DC功率转换的所有阶段的单向和双向功率转换。第四代750V SiC器件的价格各不相同，如UJ4C075044K3S售价4.15美元，UJ4SC075006K4S售价23.46美元。
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