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Hillcrest开发碳化硅高效逆变器 使温升达到最小化/增加开关频率

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时间:1900/1/1 0:00:00

据外媒报道,清洁技术创新和电动出行开发公司Hillcrest Energy Technologie很高兴地宣布,额外的概念验证(PoC)测试结果证明,其碳化硅高效逆变器可以在不增加温度和增加开关频率的情况下避免开关损耗。

SiC-HEI概念验证测试结果证实,该产品可以完全避免因开关损耗而产生大量热量,最大限度地降低温升。与目前的逆变器技术相比,由此产生的温升明显更低,有望显著改善未来电动汽车动力系统的设计。最新的测试结果表明,SiC HEI具有显著提高功率密度的能力。对于未来的电动汽车和其他电动汽车动力系统,它将有助于降低成本、尺寸和重量。SiC HEI PoC是一款基于碳化硅半导体的10kW/800V逆变器。选择800V设计是为了匹配电动汽车的最新动力总成配置。通过基准测试比较了SiC HEI PoC和传统SiC逆变器的性能。这些测试的参数范围为470 V-870 V,每个电压电平的频率为10 kHz至60 kHz。在每种情况下,SiC-HEI-PoC都可以成功地避免开关损耗,并在不增加SiC温度的情况下在连续操作期间增加开关频率。如图所示,与传统的SiC逆变器相比,随着开关频率的增加,SiC HEI PoC显著降低了系统总损耗。随着HEI实现的效率继续接近理论极限,有必要通过非常精确的测量来量化HEI的效率性能。Hillcrest将不断优化其复杂的控制系统,为商业演示原型提供更高的性能。该公司首席执行官Don Currie表示:“SiC HEI PoC展示了Hillcrest专有产品组合的价值,包括创新的电力电子产品、控制方法和系统设计

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