据国外媒体报道，专家Nexperia利用GaN-on-Silicon技术推出了第一个高功率GaN场效应晶体管。
Nexperia MOS分立器件事业群总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia正准备进入高压领域，因此推出这一战略举措。现在，我们可以提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术可以量产，满足批量应用。汽车工业是Nexperia关注的重点领域。随着电动汽车取代传统内燃机，成为个人和公共交通的首选，预计未来20年该行业将显著增长。”该工艺在大的硅衬底上产生厚的GaN外延层，并获得合适的外延特性。因此，标准的150mm晶圆生产线可以用于初级生产，具有量产所需的可扩展性和成本优势。650V GAN063-650WSA的栅极电压为20 v，工作温度在-55至+175°c之间，产品特点是导通电阻低至60mω，可降低损耗，支持频率切换，提高电源效率。重要的是，产品采用业界常用的TO-247标准封装，更方便设计师操作，提升产品性能。GAN063-650WSA GAN场效应晶体管是Nexperia的GaN系列设备的首款产品，适用于汽车、通信基础设施和工业领域。据国外媒体报道，专家Nexperia利用GaN-on-Silicon技术推出了第一个高功率GaN场效应晶体管。
Nexperia MOS分立器件事业群总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia正准备进入高压领域，因此推出这一战略举措。现在，我们可以提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术可以量产，满足批量应用。汽车工业是Nexperia关注的重点领域。随着电动汽车取代传统内燃机，成为个人和公共交通的首选，预计未来20年该行业将显著增长。”该工艺在大的硅衬底上产生厚的GaN外延层，并获得合适的外延特性。因此，标准的150mm晶圆生产线可以用于初级生产，具有量产所需的可扩展性和成本优势。650V GAN063-650WSA的栅极电压为20 v，工作温度在-55至+175°c之间，产品特点是导通电阻低至60mω，可降低损耗，支持频率切换，提高电源效率。重要的是，产品采用业界常用的TO-247标准封装，更方便设计师操作，提升产品性能。GAN063-650WSA GAN场效应晶体管是Nexperia的GaN系列设备的首款产品，适用于汽车、通信基础设施和工业领域。
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