6月7日，推动节能创新的安森美半导体宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块，以进一步增强其产品线，从而适应充满挑战的电动汽车(EV)市场。
随着电动汽车销量的不断增长，需要不断完善基础设施来满足驾驶者的需求，比如提供快速充电站网络，让汽车能够快速完成旅程，而没有“里程焦虑”。随着这种需求的不断发展，充电功率超过350 kW、效率超过95%的要求也成为了“常态”。由于部署充电桩的环境和位置多种多样，设计师面临着许多挑战，包括紧凑性、坚固性和增强的可靠性。
(来源:安森半导体)
全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面工艺打造，适用驱动电压18-20 V，易于负栅压驱动。与沟槽MOSFET相比，更大的裸芯片可以降低热阻，从而降低相同工作温度下的裸芯片温度。
NXH010P120MNF1配置为2封装半桥架构，为F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2为F2封装的6 mohm器件。这些封装使用压接引脚，非常适合工业应用。此外，他们使用嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻来帮助监控温度。
作为安森半导体电动汽车充电生态系统的一部分，新的碳化硅MOSFET模块设计用于驱动解决方案，如NCD5700x器件。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV电流隔离，可以配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。由于典型传播延迟为60ns，高电流器件(米勒平台电压下的源电流为4.0 A/吸电流为6.0 A)适合高速工作。
安森半导体的碳化硅MOSFET是新模块和栅极驱动器的补充。与类似的硅器件相比，碳化硅MOSFE可以提供出色的开关性能和增强的散热性能，从而提高效率和功率密度，改善电磁干扰(EMI)，并减小系统尺寸和重量。
最新发布的650 V碳化硅MOSFET采用了新颖的有源单元设计，并结合先进的薄晶片技术，为(RDS(on)*面积)提供了一流的品质因数(FoM)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC系列器件可为D2PAK7L/TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。
1200 V和900 V N沟道碳化硅MOSFET的芯片尺寸较小，可以降低器件电容和栅极电荷(QG——低至220 nC)，从而降低电动汽车充电桩高频运行所需的开关损耗。6月7日，推动节能创新的安森美半导体宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块，以进一步增强其产品线，从而适应充满挑战的电动汽车(EV)市场。
随着电动汽车销量的不断增长，需要不断完善基础设施来满足驾驶者的需求，比如提供快速充电站网络，让汽车能够快速完成旅程，而不会出现“里程焦虑”。随着这种需求的不断发展，充电功率超过350 kW、效率超过95%的要求也成为了“常态”。由于部署充电桩的环境和位置多种多样，设计师面临着许多挑战，包括紧凑性、坚固性和增强的可靠性。
(来源:安森半导体)
全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面工艺打造，适用驱动电压18-20 V，易于负栅压驱动。与沟槽MOSFET相比，更大的裸芯片可以降低热阻，从而降低相同工作温度下的裸芯片温度。
NXH010P120MNF1配置为2封装半桥架构，为F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2为F2封装的6 mohm器件。这些封装使用压接引脚……这非常适合于工业应用。此外，他们使用嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻来帮助监控温度。
作为安森半导体电动汽车充电生态系统的一部分，新的碳化硅MOSFET模块设计用于驱动解决方案，如NCD5700x器件。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV电流隔离，可以配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。由于典型传播延迟为60ns，高电流器件(米勒平台电压下的源电流为4.0 A/吸电流为6.0 A)适合高速工作。
安森半导体的碳化硅MOSFET是新模块和栅极驱动器的补充。与类似的硅器件相比，碳化硅MOSFE可以提供出色的开关性能和增强的散热性能，从而提高效率和功率密度，改善电磁干扰(EMI)，并减小系统尺寸和重量。
最新发布的650 V碳化硅MOSFET采用了新颖的有源单元设计，并结合先进的薄晶片技术，为(RDS(on)*面积)提供了一流的品质因数(FoM)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC系列器件可为D2PAK7L/TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。
1200 V和900 V N沟道碳化硅MOSFET的芯片尺寸较小，可以降低器件电容和栅极电荷(QG——低至220 nC)，从而降低电动汽车充电桩高频运行所需的开关损耗。
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