7月19日，半导体制造商Rom宣布推出混合IGBT，即RGWxx65C系列，该系列集成了650V耐压和内置SiC肖特基势垒二极管，符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理高功率汽车和工业应用，如光伏功率调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆中使用的DC/DC转换器。
RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元中采用了Rom的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可以将二极管的开关损耗降至最低。此外，由于导通模式下的恢复电流不需要由IGBT处理，因此IGBT的导通损耗显著降低。当该产品用于汽车充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗与传统IGBT相比降低了67%，与超结MOSFET相比降低了24%，进一步提高了成本效益，降低了工业和汽车应用中的功耗。近年来，在全球努力减轻环境负担、实现碳中和和社会脱碳的过程中，电动汽车越来越受欢迎。同时，为了配置更高效的系统，各种车辆逆变器和转换器电路也需要变得越来越多样化。此外，超低损耗SiC功率器件和传统的推送功率器件也需要技术创新。为了为大量应用提供有效的电源解决方案，Rom不仅专注于行业领先的SiC功率器件产品和技术的开发，还专注于硅产品和驱动IC的开发。Rom还在网站上提供各种设计支持材料，包括SPICE模型和集成和评估所需的驱动电路设计应用说明，以支持快速上市。Rom致力于开发满足不同需求的低损耗功率器件，并提供设计工具，通过低功耗和系统小型化不断为环境保护做出贡献。
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