意法半导体推出第三代碳化硅功率器件 标称额定电压从650V、750V到1200V

据外媒报道，意大利半导体公司推出了第三代STPOWER碳化硅场效应晶体管，可用于控制电动汽车电力系统和其他对功率密度、能效和可靠性有严格要求的应用中的功率。作为SiC功率MOSFET的市场领导者，意大利半导体公司结合领先的新设计技术，进一步探索SiC的节能潜力。

随着电动汽车市场的快速发展，汽车制造商和供应商已经采用800V驱动系统来加快充电速度、减轻重量，并生产续航里程更长的汽车。ST的新型SiC器件专门针对这些高端汽车应用进行了优化，包括电动汽车牵引逆变器、车载充电器、DC/DC转换器和电子气候压缩机。新一代产品也适用于工业应用，可以提高工业电机驱动器、可再生能源发电机和存储系统以及电信和数据中心电源的效率。ST公司已完成第三代SiC技术平台的认证，预计到2021年底，大多数衍生产品将进入商业成熟阶段。这些设备的标称额定电压范围从650V、750V到1200V，为设计者提供了更多的选择，以满足从普通交流线路电压到高压电动汽车电池和充电器的应用。第一批产品为650V SCT040H65G3AG，售价5.00美元；以及750V SCT160N75G3D8AG，售价26.00美元。ST最新推出的平面MOSFET是FoMs，树立了业界领先的新标杆。FoM是公认的质量因素，代表晶体管效率、功率密度和开关性能。使用普通硅技术来改进FoMs的缺点越来越明显，因此采用SiC技术是实现进一步改进的关键。与硅替代材料相比，由于芯片面积的原因，SiC MOSFET具有更高的额定电压。因此，该技术将成为电动汽车应用和快速充电电动汽车基础设施的最佳选择。此外，凭借其非常快速的本征二极管，它可以支持车载充电器（OBC）电池将电力传输到基础设施。该二极管可以提供OBC所需的双向特性，并用于车载V2X能量流。此外，得益于超高频能力，较小的无源元件可以用于电力系统，使车辆中的电气设备更加紧凑和轻便。在工业应用中，这也降低了拥有成本。意大利半导体公司将提供各种形式的第三代设备，包括裸芯片、分立电源封装和包括ACEPACK在内的电源模块。这些套件具有创新的设计功能，例如在电动汽车应用中专门放置散热器，简化了与底板和散热器的连接。这使设计师能够优化电动汽车主牵引逆变器、电子空调压缩机、车载充电器、DC/DC转换器等应用，以及太阳能（000591，Guba）逆变器、储能系统、电机驱动器和电源等工业应用。

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