4月6日，韩国纯晶圆代工公司Key Foundry宣布，其首款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的汽车半导体已经研发成功，将于今年开始量产。
五年多来，七方半导体凭借第一代0.13微米嵌入式闪存技术，不断推动MCU(微处理器)、Touch(触控)、Auto Focus(自动对焦)等各类消费应用产品的量产。全新的第二代0.13微米嵌入式闪存技术可应用于汽车零部件，符合AEC-Q100一级可靠性测试标准。基于深厚的专业积累和专利侧壁选择性晶体管单元(SSTC)结构的强大特性，七方半导体在嵌入式flash IP中加入了纠错码(ECC)存储器，成功开发出全新的嵌入式flash技术，满足所有AEC-Q100一级可靠性测试标准。此外，设计改进还提高了该技术的闪存可靠性，适用于所有汽车应用。
(来源:七方半导体)
七方半导体的一家韩国客户率先将这项新技术应用到交通收费转发器的MCU产品中。七方半导体的128Kb eFlash I P已经嵌入到已经完成产品级测试的产品中，今年将实现量产。这是第一款采用七方半导体嵌入式闪存技术的汽车应用产品。公司希望该产品的研发成功有助于扩大该技术的应用范围，未来可应用于触摸IC、无线充电IC等汽车产品。
与第一代相比，第二代技术具有更高的可靠性和更强的成本竞争力，有望广泛应用于各种消费应用，包括MCU、触控和自动对焦。此外，它与BCD(双极-CMOS-DMOS，双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体)工艺集成后，非常适用于各种电源产品，如USB Type-C PDs、电机驱动IC或无线充电IC。第二代技术也有望应用于具有超低泄漏工艺选项的低功耗IoT(物联网)产品。
继第一代和第二代0.13微米嵌入式闪存技术之后，奇方半导体目前正在研发0.11微米嵌入式闪存技术。为了满足客户对高存储密度日益增长的需求，该公司计划大幅缩小闪存单元的尺寸，并建立一个存储密度高达4Mbits的闪存IP。
七方半导体首席执行官李泰荣博士(Tae Jong Lee)表示:“我们很高兴能够完成第一款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的产品开发，并开始量产。我们将充分利用积累的技术优势，提供高度可靠和具有成本竞争力的OEM服务，并继续提高汽车半导体在我们产品组合中的比例。”4月6日，韩国纯晶圆代工公司Key Foundry宣布，其首款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的汽车半导体已经研发成功，将于今年开始量产。
五年多来，七方半导体凭借第一代0.13微米嵌入式闪存技术，不断推动MCU(微处理器)、Touch(触控)、Auto Focus(自动对焦)等各类消费应用产品的量产。全新的第二代0.13微米嵌入式闪存技术可应用于汽车零部件，符合AEC-Q100一级可靠性测试标准。基于深厚的专业积累和专利侧壁选择性晶体管单元(SSTC)结构的强大特性，七方半导体在嵌入式flash IP中加入了纠错码(ECC)存储器，成功开发出全新的嵌入式flash技术，满足所有AEC-Q100一级可靠性测试标准。此外，设计改进还提高了该技术的闪存可靠性，适用于所有汽车应用。
(来源:七方半导体)
七方半导体的一家韩国客户率先将这项新技术应用到交通收费转发器的MCU产品中。七方色……conductor的128Kb eFlash I P已经嵌入到已经完成产品级测试的产品中，并将于今年实现量产。这是第一款采用七方半导体嵌入式闪存技术的汽车应用产品。公司希望该产品的研发成功有助于扩大该技术的应用范围，未来可应用于触摸IC、无线充电IC等汽车产品。
与第一代相比，第二代技术具有更高的可靠性和更强的成本竞争力，有望广泛应用于各种消费应用，包括MCU、触控和自动对焦。此外，它与BCD(双极-CMOS-DMOS，双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体)工艺集成后，非常适用于各种电源产品，如USB Type-C PDs、电机驱动IC或无线充电IC。第二代技术也有望应用于具有超低泄漏工艺选项的低功耗IoT(物联网)产品。
继第一代和第二代0.13微米嵌入式闪存技术之后，奇方半导体目前正在研发0.11微米嵌入式闪存技术。为了满足客户对高存储密度日益增长的需求，该公司计划大幅缩小闪存单元的尺寸，并建立一个存储密度高达4Mbits的闪存IP。
七方半导体首席执行官李泰荣博士(Tae Jong Lee)表示:“我们很高兴能够完成第一款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的产品开发，并开始量产。我们将充分利用积累的技术优势，提供高度可靠和具有成本竞争力的OEM服务，并继续提高汽车半导体在我们产品组合中的比例。”
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