7月19日，半导体厂商ROHM宣布推出耐压650V、内置SiC肖特基势垒二极管的混合IGBT (Hybrid IGBT)，即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR)，符合汽车可靠性标准AEC-Q101。这些新产品适合处理高功率汽车和工业应用，如光伏电源调节器、汽车充电器以及电动和电气化车辆(xEV)中使用的DC/DC转换器。
(来源:罗姆人)
RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了Roma的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可以将二极管开关损耗降到最低。此外，因为恢复电流不需要在导通模式下由IGBT处理，所以IGBT的导通损耗显著降低。当该产品用于车载充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗比传统IGBT降低67%，比超级结MOSFET(SJ MOSFET)降低24%，从而进一步提高性价比，降低工业和汽车应用中的功耗。
近年来，在全球努力减轻环境负担、实现碳中和及脱碳社会的过程中，电动汽车越来越受欢迎。同时，为了配置更高效的系统，各种车辆逆变器和变换器电路需要变得越来越多样化。此外，超低损耗SiC功率器件(即SiC MOSFET、SiC SBD等。)和传统的推式功率器件(如IGBT、超级结MOSFET)也需要技术创新。
为了给大量应用提供有效的电源解决方案，罗马不仅专注于业界领先的SiC功率器件的产品和技术开发，还专注于硅产品和驱动器iC的开发。
Roma还在网站上提供了各种设计支持材料，包括集成和评估所需的驱动电路设计的SPICE模型和应用笔记，支持快速上市。Roma致力于通过开发满足不同需求的低损耗电源设备和提供设计工具，为环境保护做出贡献。7月19日，半导体厂商ROHM宣布推出耐压650V、内置SiC肖特基势垒二极管的混合IGBT (Hybrid IGBT)，即RGWxx65C系列(包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR)，符合汽车可靠性标准AEC-Q101。这些新产品适合处理高功率汽车和工业应用，如光伏电源调节器、汽车充电器以及电动和电气化车辆(xEV)中使用的DC/DC转换器。
(来源:罗姆人)
RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元(续流二极管)中采用了Roma的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可以将二极管开关损耗降到最低。此外，因为恢复电流不需要在导通模式下由IGBT处理，所以IGBT的导通损耗显著降低。当该产品用于车载充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗比传统IGBT降低67%，比超级结MOSFET(SJ MOSFET)降低24%，从而进一步提高性价比，降低工业和汽车应用中的功耗。
近年来，在全球努力减轻环境负担、实现碳中和及脱碳社会的过程中，电动汽车越来越受欢迎。同时，为了配置更高效的系统，各种车辆逆变器和变换器电路需要变得越来越多样化。此外，超低损耗SiC功率器件(即SiC MOSFET、SiC SBD等。)和传统的推式功率器件(如IGBT、超级结MOSFET)也需要技术创新。
为了给大量应用提供有效的电源解决方案，罗马不仅专注于业界领先的SiC功率器件的产品和技术开发，还专注于硅产品和驱动器iC的开发。
Roma还在网站上提供了各种设计支持材料，包括集成和评估所需的驱动电路设计的SPICE模型和应用笔记，支持快速上市。Roma致力于通过开发满足不同需求的低损耗电源设备和提供设计工具，为环境保护做出贡献。
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