据国外媒体报道,半导体专家Nexperia宣布推出650 V和10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管,进军大功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓(GaN)FET的可靠供应商,此次新产品发布是该公司拓展高压宽带隙半导体器件产品的战略举措。

(来源:Nexperia)
Nexperia的第一个SiC肖特基二极管具有650 V的重复峰值反向电压(VRRM)和10 A的连续正向电流(IF),旨在将超高性能和高效率与功率转换应用中的低能量损耗相结合。该二极管还具有与真正的2引脚(R2P)封装高电压兼容和更高爬电距离的优势,因此可以选择表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)或通孔(TO-220-2、TO-247-2)器件。可以根据要求提供工程样品,公司计划在2022年第二季度发布完整的产品。Nexperia计划不断增加其碳化硅二极管的产品组合,以便所有72种产品都可以在650 V和1200 V下工作,电流范围为6至20 A..
随着全球能源意识的增强,市场对具有出色效率和功率密度的大功率应用的需求也在增加。Nexperia双极分立器件事业部总经理Mark Roeloffzen表示:“氮化镓和碳化硅等宽带隙半导体可以很好地满足大规模应用的严格要求,有望实现更高的效率和更大的功率密度,并为OEM厂商降低系统成本和运营成本。Nexperia多元化的SiC二极管产品组合将为这个市场带来更多选择和可用性。”
Nexperia的SiC肖特基二极管最初将用于工业和消费应用,包括开关电源(SMPS)、交流-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源(UPS)和光伏逆变器。Nexperia还计划发布用于车辆电气化应用的车辆分类设备,如车载充电器(OBC);逆变器;高压DC-DC转换器。据国外媒体报道,半导体专家Nexperia宣布推出650 V和10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管,进军大功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓(GaN)FET的可靠供应商,此次新产品发布是该公司拓展高压宽带隙半导体器件产品的战略举措。

(来源:Nexperia)
Nexperia的第一个SiC肖特基二极管具有650 V的重复峰值反向电压(VRRM)和10 A的连续正向电流(IF),旨在将超高性能和高效率与功率转换应用中的低能量损耗相结合。该二极管还具有与真正的2引脚(R2P)封装高电压兼容和更高爬电距离的优势,因此可以选择表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)或通孔(TO-220-2、TO-247-2)器件。可以根据要求提供工程样品,公司计划在2022年第二季度发布完整的产品。Nexperia计划不断增加其碳化硅二极管的产品组合,以便所有72种产品都可以在650 V和1200 V下工作,电流范围为6至20 A..
随着全球能源意识的增强,市场对具有出色效率和功率密度的大功率应用的需求也在增加。Nexperia双极分立器件事业部总经理Mark Roeloffzen表示:“氮化镓和碳化硅等宽带隙半导体可以很好地满足大规模应用的严格要求,有望实现更高的效率和更大的功率密度,并为OEM厂商降低系统成本和运营成本。Nexperia多元化的SiC二极管产品组合将为这个市场带来更多选择和可用性。”
Nexperia的SiC肖特基二极管最初将用于工业和消费应用,包括开关电源(SMPS)、交流-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源(UPS)和光伏逆变器。Nexperia还计划发布用于车辆电气化应用的车辆分类设备,如车载充电器(OBC);逆变器;高压DC-DC转换器。
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