英飞凌推出950 V CoolMOS? PFD7系列，内置集成的快速体二极管

11月8日，英飞凌科技有限公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出全新系列cool mos pfd 7高压MOSFET，树立了950V超级结(SJ)技术的行业新标准，满足了当今市场对小型化和高能效的需求。新的950V系列具有出色的性能和易用性。集成的快体二极管可以保证器件的鲁棒性，降低BOM成本。该产品专为超高功率密度和超高效率而设计，主要用于消费和工业领域的照明系统和开关电源(SMPS)应用。

新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括半桥或全桥配置，使功率换向稳定可靠。该系列产品通过将超快体二极管与超低反向恢复电荷(Qrr)相集成，实现了硬换流的鲁棒性和可靠性，成为该电压等级下更加鲁棒的超结MOSFET，可应用于目标应用中的所有拓扑。此外，开关损耗(EOSS、QOSS和Qg)大大降低，这也提高了硬开关和软开关应用的效率。与900V CoolMOS C3超结MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。与之前相比，新产品更加绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高0.2%以上，能够满足LLC的效率要求。新的产品系列将SMD和THD封装的各种器件的导通电阻(RDS(on))降低了高达55%，例如，DPAK封装的器件的导通电阻为450mω，或者TO247封装的器件的导通电阻为60mω。设计师可以通过缩小封装尺寸、大幅提高功率密度、节省电路板空间来降低BOM成本和生产成本。其栅源阈值电压(V (GS)，th)为3V，V(GS)，Th的最低变化范围为0.5V，可以方便新器件的设计引入和驱动，提高设计自由度。使用低阈值电压和容差可以避免使用MOSFET线性模式，并降低驱动电压和空载损耗。此外，与CoolMOS C3相比，新品系列的栅极电荷提高了60%，大大降低了驱动损耗，能够满足人体放电模型(HBM)(2级静电放电灵敏度)的标准，保证了静电放电(ESD)的鲁棒性，从而减少了ESD相关的设备故障，提高了产量。11月8日，英飞凌科技有限公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出全新系列cool mos pfd 7高压MOSFET，树立了950V超级结(SJ)技术的行业新标准，满足了当今市场对小型化和高能效的需求。新的950V系列具有出色的性能和易用性。集成的快体二极管可以保证器件的鲁棒性，降低BOM成本。该产品专为超高功率密度和超高效率而设计，主要用于消费和工业领域的照明系统和开关电源(SMPS)应用。

新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括半桥或全桥配置，使功率换向稳定可靠。该系列产品通过将超快体二极管与超低反向恢复电荷(Qrr)相集成，实现了硬换流的鲁棒性和可靠性，成为该电压等级下更加鲁棒的超结MOSFET，可应用于目标应用中的所有拓扑。此外，开关损耗(EOSS、QOSS和Qg)大大降低，这也提高了硬开关和软开关应用的效率。与900V CoolMOS C3超结MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。与之前相比，新产品更加绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高0.2%以上，能够满足LLC的效率要求。新的产品系列将SMD和THD封装的各种器件的导通电阻(RDS(on))降低了高达55%，例如，DPAK封装的器件的导通电阻为450mω，或者TO247封装的器件的导通电阻为60mω。设计师可以通过缩小封装尺寸、大幅提高功率密度、节省电路板空间来降低BOM成本和生产成本。其栅极-源极阈值vol……ge (V(GS)，th)为3V，V(GS)，Th的最低变化范围为0.5V，可以方便新器件的设计引入和驱动，提高设计自由度。使用低阈值电压和容差可以避免使用MOSFET线性模式，并降低驱动电压和空载损耗。此外，与CoolMOS C3相比，新品系列的栅极电荷提高了60%，大大降低了驱动损耗，能够满足人体放电模型(HBM)(2级静电放电灵敏度)的标准，保证了静电放电(ESD)的鲁棒性，从而减少了ESD相关的设备故障，提高了产量。

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