全球知名半导体制造商Roma(总部位于日本京都)的第4代SiC MOSFET和栅极驱动iC已被日本先进汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称“日立安斯泰莫”)用于其纯电动汽车(EV)的逆变器。
在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电气化进程正在加快。在此背景下，开发更高效、更小、更轻的电动动力总成系统成为必由之路。特别是在EV领域，为了延长续航里程，减小车载电池的尺寸，提高起驱动核心作用的逆变器的效率成为重要课题，业界对碳化硅功率元件寄予厚望。
自2010年罗马在全球率先量产SiC MOSFET以来，一直保持着SiC功率器件技术发展的领先地位。其中，新推出的第四代SiC MOSFET提高了短路耐受时间，实现了业界超低导通电阻。该产品用于车载逆变器时，与IGBT相比，功耗可降低6%(按照国际标准“WLTC油耗测试”计算)，对延长电动汽车续航里程非常有帮助。
日立安斯泰莫多年来一直致力于汽车电机和逆变器相关先进技术的开发，并为日益普及的EV提供了大量产品，在该领域有着骄人的市场业绩。此次，为了进一步提高逆变器的性能，日立安斯泰莫首次在主驱动逆变器的电路中采用了SiC功率器件，并计划从2025年开始依次向包括日本汽车厂商在内的全球汽车厂商供应相应的逆变器产品。
未来，作为SiC功率组件的领军企业，罗马将继续扩大产品阵容，结合控制iC等能够更大程度激发组件性能的周边组件技术优势，持续提供有利于汽车技术创新的功率解决方案。全球知名半导体制造商Roma(总部位于日本京都)的第4代SiC MOSFET和栅极驱动iC已被日本先进汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称“日立安斯泰莫”)用于其纯电动汽车(EV)的逆变器。
在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电气化进程正在加快。在此背景下，开发更高效、更小、更轻的电动动力总成系统成为必由之路。特别是在EV领域，为了延长续航里程，减小车载电池的尺寸，提高起驱动核心作用的逆变器的效率成为重要课题，业界对碳化硅功率元件寄予厚望。
自2010年罗马在全球率先量产SiC MOSFET以来，一直保持着SiC功率器件技术发展的领先地位。其中，新推出的第四代SiC MOSFET提高了短路耐受时间，实现了业界超低导通电阻。该产品用于车载逆变器时，与IGBT相比，功耗可降低6%(按照国际标准“WLTC油耗测试”计算)，对延长电动汽车续航里程非常有帮助。
日立安斯泰莫多年来一直致力于汽车电机和逆变器相关先进技术的开发，并为日益普及的EV提供了大量产品，在该领域有着骄人的市场业绩。此次，为了进一步提高逆变器的性能，日立安斯泰莫首次在主驱动逆变器的电路中采用了SiC功率器件，并计划从2025年开始依次向包括日本汽车厂商在内的全球汽车厂商供应相应的逆变器产品。
未来，作为SiC功率器件的领先企业，Roma将继续扩大产品阵容，并结合控制iC等外围器件的技术优势，将器件性能发挥到更大程度……ent，继续提供有利于汽车技术创新的动力解决方案。
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