6月7日，推动节能创新的安森美半导体宣布推出一对1200 V全碳化硅MOSFET 2-PACK模块，进一步增强了其产品线，以适应充满挑战的电动汽车市场。随着电动汽车销量的不断增长，基础设施需要不断完善，以满足驾驶员的需求，例如提供快速充电站网络，使汽车能够快速完成行程，而不会经历“里程焦虑”。随着这一需求的不断发展，充电功率超过350千瓦、效率超过95%的要求已成为“常态”。由于部署充电桩的环境和位置多种多样，设计师面临着各种挑战，包括紧凑性、稳健性和增强的可靠性。
新型1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术构建，适用于18-20V的驱动电压，易于使用栅极负电压进行驱动。与槽型MOSFET相比，更大的裸芯片可以降低热阻，从而在相同的工作温度下降低裸芯片的温度。NXH010P120MNF1配置有2-PACK半桥架构，是封装在F1中的10兆欧姆器件，而NXH006P120MNF2是封装在F2中的6兆欧姆器件。这些封装使用压接引脚，非常适合工业应用。此外，嵌入式负温度系数热敏电阻也用于帮助温度监测。作为Ansemy半导体电动汽车充电生态系统的一部分，新型碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案结合使用。最近推出的NCD57252双通道隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV电流隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥操作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入。由于60ns的典型传播延迟，这种高电流器件适用于高速操作。Ansemy Semiconductor的碳化硅MOSFET补充了新的模块和栅极驱动器。与类似的硅器件相比，这种碳化硅MOSFE可以提供优异的开关性能和增强的散热性能，从而提高效率和功率密度，改善电磁干扰，降低系统尺寸和重量。最近发布的650V碳化硅MOSFET采用了新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，提供一流的品质因数。NVBG015N065SC1、NTBG015N065-SC1、NVH4L015N065SC2和NTH4L015NO65SC系列器件可以为D2PAK7L/TO247封装MOSFET提供市场上最低的RDS（开）。1200V和900V N沟道碳化硅MOSFET芯片的较小尺寸可以减少器件电容和栅极电荷，从而降低电动汽车充电站高频运行所需的开关损耗。
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盖世汽车讯6月7日，丰田汽车公司与旗下出行服务公司KINTO宣布合作，将在汽车先进技术不断创新的背景下，基于快速向消费者交付汽车的共同愿景，推出“车与人同步发展”的服务。
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1900/1/1 0:00:00一到下雨天，你是不是只知道开打开雨刮器，那你就大错特错了，今天小歪教大家几个雨天行驶的小知识点，尤其是第三条，关键时刻能省不少钱哦。1、一定要打开除雾开关。
1900/1/1 0:00:006月1日，蔚来宣布5月共交付整车6711台，同比增长953。截至2021年5月31日，蔚来累计完成交付109514台。因芯片带来的供应链波动及交付环节的调整，蔚来5月交付工作曾受短暂影响。
1900/1/1 0:00:00李想韩忠楠本版供图吴比较本版制图证券时报记者韩忠楠日前，理想汽车正式发布了2021款理想ONE，新车在增程电动系统、AD高级辅助驾驶、智能座舱等方面进行了升级。
1900/1/1 0:00:00作者：蓝妹编辑：六耳来源：蓝媒汇财经6月7日，2021年全国高考正式拉开大幕。1078万考生奔赴考场，正在为自己这三年的努力交一份“答卷”。
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